한밭대 김정환 교수팀 재료과학분야 국제학술지 논문 게재

김수연 석사연구원 'in-situ defect passivation' 방법

국립한밭대 신소재공학과 김정환 교수<왼쪽>과 김수연 석사연구원. /한밭대 제공

국립한밭대는 신소재공학과 김정환 교수팀과 한양대 박태주 교수 연구팀의 공동 성과가 재료과학, 코팅&막 분야 국제 1위 학술지인 'Applied Surface Science'에 게재됐다고 1일 밝혔다.

한밭대 신소재공학과 김수연 석사연구원이 제1저자로 발표한 본 논문은 'Reduced leakage current in atomic-layer-deposited HfO2 thin films deposited at low temperature by in-situ defect passivation'으로, 반도체 소자 성능 향상에 기여할 수 있는 저온 박막 공정 기술 연구에 관한 내용이다.

최근 반도체 미세화가 가속화되면서 전기적 신뢰성에 영향을 주는 누설 전류 문제가 대두되고 있으며, 문제 해결을 위해 공정 후 고온 열처리와 같이 소자 내 존재하는 결함을 제거하는 공정이 필수적이다. 이는 고가의 후처리 장비가 필요하며, 추가 비용과 시간이 소요된다는 단점이 있고, 플렉서블 디스플레이와 같이 유연 소재를 기반으로 하는 제품에는 높은 온도의 후처리 공정이 소자의 변형과 특성 열화 같은 문제를 초래할 수 있다.

한밭대 연구팀이 발표한 'in-situ defect passivation' 방법은 낮은 공정 온도에서도 추가적인 화학 물질이나 후열처리 공정 없이 누설전류 밀도를 7분의 1로 감소시켜 전기적 특성의 저하 문제를 개선했다.



이번 연구는 국제학술지 'Applied Surface Science' 2월 1일자에 게재됐다.
고미선 기자 misunyda@