한밭대 김하영 학생, 국제학술지 논문 게재

'IEEE Electron Device Letters' 9월호 온라인판에 실려
인듐-갈륨-아연-산화물 반도체 기반 문제점 해결 기대

한밭대학교 창의융합학과 김하영 학생

한밭대는 김하영 학생(창의융합학과 4학년·지도교수 김민회)이 국제학술지인 'IEEE Electron Device Letters' 9월 온라인판에 논문이 게재됐다고 5일 밝혔다.

IEEE Electron Device Letters는 전기전자 소자의 이론, 모델링, 설계 등에 관한 내용을 다루는 전기전자 소자 분야에서 세계적으로 권위 있는 학술지이다.

논문의 주저자인 김하영 학생은 이번에 연구팀과 함께 'Electrically Erasable Wide-Bandgap Charge-Trap Memory with an Electric-Flux-Modulating Counter Electrode'라는 제목의 논문을 실었다. 이 논문을 통해 플래시 메모리에 인듐-갈륨-아연-산화물을 반도체로 사용했을 때 지우기 동작이 되지 않는 문제점이 발생하는 원인을 체계적으로 밝히고 이의 구조적 해결 방법 또한 제시했다.

해당 연구에서, 반도체의 전도대역과 가전자대역 사이의 에너지 차이를 의미하는 밴드갭이 다른 세 반도체를 이용함으로써, 지우기 동작이 밴드갭 크기에 영향을 받는다는 것을 규명했고, 이를 바탕으로 기존 메모리 구조 상부에 금속을 추가해 지우기 동작이 가능한 새로운 소자 구조를 제시했다. 제시된 구조는 인듐-갈륨-아연-산화물뿐만 아니라 다른 넓은 밴드갭을 가진 소자에도 적용될 수 있는 범용성을 갖고 있어 그 가치가 더욱 높으며, 이번 연구는 간단한 구조적 접근을 통해 인듐-갈륨-아연-산화물 반도체 기반 비휘발성 메모리 소자의 문제점을 해결함으로써 차세대 메모리 기술 발전에 기여할 것으로 기대된다.

한편, 해당 연구는 한국연구재단의 중점연구소지원사업과 중견연구자지원사업의 지원을 받아 수행했다.
김흥수 기자 soooo0825@