KAIST, 차세대 투명 저항 변화 메모리 소자 세계 최초 개발

미래형 투명전자 기술의 기초가 되는 투명 메모리 소자가 국내 연구진에 의해 개발됐다.

KAIST는 전자전산학부 임굉수(62ㆍ사진), 박재우(44ㆍ사진) 교수팀을 중심으로 금속산화물의 저항변화를 이용한 차세대 투명 저항 변화 메모리(TRRAM) 소자 개발에 세계 최초로 성공했다고 21일 밝혔다.

▲ KAIST가 최근 세계 최초 개발에 성공한 차세대 투명 저항 변화 메모리 소자 모습.

미국 응용물리학회지 12월호에 발표됐고, 미국 물리학회의 주목하는 기술에 선정됐다.

외국 유수 인터넷 뉴스매체에서도 이번 소자가 노키아에서 제안한 차세대 투명 휴대폰에 적용가능하다는 분석을 내놓고 있다.

이번 투명 메모리 소자는 USB 등과 같이 전원이 없어도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리다.

다만 투명 유리 또는 플라스틱 기판 위에 투명 전극과 산화물 박막 등으로만 구성돼 전체적으로 투명성을 띤다.

기존 실리콘 기반 CMOS 플래시 메모리 소자보다 제조공정이 훨씬 간단하고, 10년 이상 사용가능한 점을 특징으로 한다.

▲ 영화 마이너리티리포트에 등장한 투명메모리.

이미 상업화되고 있는 저항 변화 메모리(RRAM)를 응용했다.

향후 투명 디스플레이 등과 같은 투명 전자기기와 집적화해 통합형 투명 전자시스템 구현도 가능할 것으로 보인다.

연구팀 관계자는 “이번 개발은 기존 실리콘 기반 CMOS 플래시 메모리 시장을 완전히 대체하는 기술은 아니다”라며 “향후 현실화할 투명 디스플레이 등과 같은 투명전자 시대에 맞춰, 가장 기본적인 저장매체인 메모리 소자 또한 투명하게 만들고자 하는 취지에서 개발한 것”이라고 말했다.

그는 “또한 향후 IT 일등 강국으로서의 위상을 이어갈 수 있는 발판을 마련한 것에 의미가 있다고 본다”고 덧붙였다. /이희택 기자 nature28@