테라바이트급 비휘발성 메모리 기술개발

표준연 엄대진·문창연·구자용 연구팀

한국표준과학연구원(KRISS)은 나노소재평가센터 엄대진, 문창연, 구자용 박사 연구팀이 테라바이트(Tera Byte)급 비휘발성 메모리를 제작할 수 있는 원천기술을 개발했다고 22일 밝혔다.

연구팀은 간단한 공정으로 실리콘 웨이퍼 표면 원자 각각에 0 또는 1의 이진 정보를 쓰고 지울 수 있는 초고집적 비휘발성 메모리 기술을 개발하고, 그 동작원리를 밝힌 것이다.

실리콘 웨이퍼에 일정량의 붕소를 주입한 뒤 열처리하면 표면에 노출된 실리콘 원자들의 상호거리가 늘어나고, 외부 전기자극에 의해 두가지 안정된 상태로 변형된다. 이때 전류 공급이 끊어져도 상태를 유지하는 비휘발성 특성을 보이는데 이는 원자 하나하나가 디지털 정보를 저장할 수 있는 것을 의미한다.

표준연 연구팀은 결함이나 인공 구조물이 아닌 정상적인 표면 원자를 이용해 실험에 성공, 향후 상용화 가능성이 높은 것으로 평가되고 있다.

엄대진 박사는 “이 기술은 원자 규모의 기억소자를 구현할 수 있는 원천기술이기 때문에 추가 응용연구가 이뤄지면 현재 시판되는 제품의 크기를 유지하면서 수천배 큰 용량의 비휘발성 메모리 제작이 가능하다”고 말했다.

이영록 기자 idolnamba2002@