10나노미터 두께 측정 가능해졌다

표준硏 김창수 박사팀 인증물질 국내 첫 개발

10나노미터(10억분의 1m) 이하의 반도체 두께를 측정할 수 있는 인증표준물질을 국내에서 처음으로 개발했다.

KRISS(한국표준과학연구원, 원장 강대임) 재료측정표준센터 김창수 박사팀은 차세대 반도체 산업의 필수 기반기술인 10 나노미터(㎚) 이하의 반도체 두께 인증표준물질을 개발, 초미세 반도체 제조 공정에 더 정확한 두께 표준을 제공할 것으로 기대된다.

이번에 개발한 반도체 두께 인증표준물질은 절연성 높은 유전체인 하이-K 물질 '하프늄 산화막(HfO2)'을 이용, 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막(SiO2)을 1마이크로미터 두께로 씌우고서 그 위에 수 나노미터 두께의 하프늄 산화막(HfO2)을 원자층 단위 두께로 증착시키는 기술(ALD법)을 활용했다.

이를 통해 초미세 반도체 제조 공정 시 기존의 10나노미터급 이상의 실리콘 산화막(SiO2) 측정 기준자보다 더 정확한 두께 표준을 제공하고 기존의 방식에서 발생했던 두께 측정 불확도 요소를 완전히 제거했다.

권은남 기자